Proceedings of the International scientific and practical conference ―Cambridge Science and Education Conference‖ (May 15-17, 2026) / Publisher website: www.naukainfo.com. - Cambridge, United Kingdom, 2026. - 429 p.

160 2040 °C) та зберігає свою оптичну стабільність, хімічну інертність і механічну міцність при температурах значно вище 1000 °C у високоагресивних середовищах [6]. Завдяки своїй кристалічній структурі, сапфір проявляє яскраво виражене природне двопроменезаломлення, температурна залежність якого слугує надійною базою для термометрії. Практичне застосування таких чутливих елементів дозволяє створювати надійні багатоточкові кристалооптичні термоперетворювачі, які успішно функціонують у промислових установках, таких як енергетичні котли чи системи газифікації, де традиційні контактні датчики швидко деградують [7]. Водночас, при проектуванні прецизійних кристалооптичних перетворювачів на базі сапфіру необхідно ретельно враховувати просторову однорідність його оптичних властивостей. Дослідження показують наявність прямої кореляції між явищами двопроменезаломлення та залишковими тепловими або механічними напруженнями у великих монокристалах сапфіру [8]. Визначення цих напружень та їх врахування під час створення чутливого елемента є критично важливими кроками для забезпечення високої точності, мінімізації похибок та стабільності метрологічних характеристик термоперетворювача при циклічних високотемпературних навантаженнях. Порівняльна характеристика чутливих елементів. На основі проаналізованих літературних джерел можна здійснити об'єктивне зіставлення ключових параметрів розглянутих анізотропних кристалів. Ніобат літію та танталат літію демонструють високу чутливість зміни двопроменезаломлення до коливань температури, однак їх використання вимагає точного математичного моделювання та введення специфічних температурних поправок для розрахунку показників заломлення при нагріванні [5]. Зокрема, для ніобату літію дослідження підтверджують, що робочі характеристики значно залежать не лише від температури, але й від стехіометричного складу кристала, що необхідно враховувати при розробці датчиків [3].